浙江舟山：配网自动化正式进入“5G”时代

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另外7个模型为回归模型，式进预测绝缘体材料的带隙能（EBG），式进体积模量（BVRH），剪切模量（GVRH），徳拜温度（θD），定压热容（CP），定容热容（Cv）以及热扩散系数（αv）。为PLMF图中的顶点赋予各个原子独有的物理和化学性能（如原子在元素周期表中的位置、浙江舟山自动电负性、摩尔体积等），以此将不同的材料区分开。配网（f,g）靠近表面显示切换过程的特写镜头。

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式进（h-i）沿Al2O3101¯0和112¯0方向生长的MoS2/Al2O3界面的横截面HAADF-STEM图像。浙江舟山自动（b）C/A和C/M基板上成核阶段的四种可能的边缘配置。

配网文献链接：Epitaxialgrowthofwafer-scalemolybdenumdisulfidesemiconductorsinglecrystalsonsapphire.NatrueNanotechnology,2021,DOI:10.1038/s41565-021-00963-8.本文由CQR编译。化正（d）C/A基底上两个合并的MoS2畴的极化SHG映射。